日期：2022-09-15 18:08:38瀏覽量：17996
降低功耗，實現(xiàn)供電系統(tǒng)的小型化
A、小電機減速機結(jié)型場效應晶體管（JFET）摻雜技術(shù)既降低了1200V SiC-MOSFET的開關(guān)損耗和導通電阻，還讓其達到行業(yè)領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù)（FOM）——1,450mΩ·nC。與采用傳統(tǒng)的硅絕緣柵門極晶體管（Si-IGBT）相比，用于供電系統(tǒng)的1200V SiC-MOSFET的功耗降低了約85%。
B、小電機減速機通過降低鏡面電容（在MOSFET結(jié)構(gòu)中，柵極和漏極之間存在的雜散電容），與競爭對手的產(chǎn)品相比，1200V SiC-MOSFET的自接通耐受性提高了14倍。因此，可實現(xiàn)快速的開關(guān)操作，降低開關(guān)損耗。
C、由于小電機減速機降低了開關(guān)功率損耗，通過驅(qū)動具有更高載頻的功率半導體，得以實現(xiàn)冷卻系統(tǒng)及周邊部件（如反應器）的小型化和簡單化，從而有助于降低整個供電系統(tǒng)的成本的尺寸。
小電機減速機有六款1200V SiC-MOSFET，包括符合AEC-Q101規(guī)格的型號，適用于各種應用
A、 N系列1200V SiC-MOSFET產(chǎn)品包括符合美國汽車電子委員會AEC-Q101規(guī)格的型號，因此，該產(chǎn)品不僅適用于光伏系統(tǒng)等工業(yè)應用，也可用于電動汽車車載充電器。
